氮化镓芯片制造商英诺赛科通过联交所上市聆讯，宣布启动IPO预路演，预计集资1.5亿至2亿美元（约11.7亿至15.6亿港元）。本次上市由中金公司和招银国际担任联席保荐人。

根据初步招股文件，英诺赛科专注于氮化镓功率芯片的研发与销售，其产品广泛应用于快速充电、适配器、可再生能源电池管理系统、工业设备、汽车电子及数据中心等领域。相比传统硅材料，氮化镓具备更高电压承受能力和更优导电性能，能够显著提升充电效率。目前，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓芯片生产基地，每月产能达1.25万块。

专利风险与地缘挑战

尽管地缘政治紧张局势持续升级，英诺赛科表示其业务尚未受到制裁影响，约90%的销售额来源于海外市场。但公司目前正面临专利侵权诉讼，美国国际贸易委员会裁定英诺赛科侵犯了“294号专利”。对此，公司计划于明年3月7日前向联邦上诉法院提出上诉。

财务表现与集资用途

财务数据显示，英诺赛科过去三年亏损有所收窄。2021年至2023年，公司分别亏损33.99亿元、22.05亿元和11.02亿元。今年上半年亏损4.88亿元，同比下降15.8%，同期收入达3.86亿元，同比增长25%。

英诺赛科表示，本次集资所得将主要用于以下几个方面：

1. 扩大产能：约60%的资金将用于提升8英寸氮化镓晶圆产能；

2. 研发投入：约20%资金将用于技术研发及丰富产品组合；

3. 市场拓展：约10%用于全球分销网络扩展及市场营销活动；

4. 其他用途：其余资金将用于一般运营及企业用途。

尽管面临多重挑战，英诺赛科的氮化镓技术前景被广泛看好。本次IPO有望为其进一步扩展业务和技术优势提供重要助力。

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