东京，2024年12月11日 - 全球领先的记忆体解决方案公司Kioxia Corporation今日宣布成功开发出一种名为OCTRAM（氧化物半导体通道电晶体DRAM）的新型技术。这种创新型4F2 DRAM采用了具有超低关断电流和高导通电流特性的氧化物半导体电晶体，预计将推动低功耗DRAM在多个高效能应用中的广泛应用。

OCTRAM技术的核心创新在于其使用了InGaZnO（铟镓锌氧化物）垂直电晶体，这种电晶体具备极低的电流泄漏特性，这对低功耗应用至关重要。在今年12月9日于美国加州旧金山举行的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上，Kioxia首次展示了这一技术成果。此次研发合作由Nanya Technology与Kioxia共同完成，标志着两家公司在推动低功耗记忆体技术方面的重大突破。

天游ty8传统的DRAM设计通常依赖于硅基6F2技术，而OCTRAM则通过采用InGaZnO垂直电晶体，在单元电晶体的设计上进行了优化，使得DRAM密度在4F2结构下得到显著提高。这一设计大大提升了DRAM的性能和效率，使得OCTRAM在高密度存储方面具备竞争优势。

OCTRAM的另一大亮点是其超低关断电流，达到1.0 x 10^-18安/单元，远低于传统DRAM技术。这意味着OCTRAM不仅能够显著降低能耗，而且能够支持AI、物联网和后5G通讯等前沿技术的高效运行。随着全球对低功耗、高效能存储技术需求的不断增加，OCTRAM的推出为这些领域的应用提供了新的解决方案。

技术方面，OCTRAM采用了高深宽比电容器技术，这种结构使得InGaZnO垂直电晶体能够被整合在电容器顶部。此设计优化了电容器和InGaZnO电晶体之间的相互作用，进一步提升了存储元件的性能。通过对元件和制程的精细优化，OCTRAM能够实现超过15微安/单元的高导通电流，并且保持低于1安培/单元的关断电流。

在面向未来的应用场景中，OCTRAM的低功耗优势使其特别适用于人工智能（AI）、物联网（IoT）以及高效能计算领域。随着技术的进一步成熟，OCTRAM有望成为未来存储解决方案的重要组成部分，为高密度存储需求提供更为高效的选择。

关于Kioxia
Kioxia Corporation是全球领先的记忆体解决方案提供商，致力于开发、生产和销售快闪记忆体及固态硬盘（SSD）产品。公司前身为Toshiba Memory，2017年4月正式脱离Toshiba Corporation。作为创新的推动者，Kioxia以其BiCS FLASH™ 3D快闪记忆体技术不断引领存储技术的未来，涵盖从智能手机、PC到汽车及数据中心等多种高密度应用领域。

天游ty8通过提供具有创新性和高效能的存储产品与解决方案，Kioxia不断提升全球客户的竞争力，推动智能社会的建设。