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贸泽电子(Mouser Electronics)宣布即日起开始备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600V氮化镓(GaN)功率级产品。作为一款具有创新性的高性能功率级解决方案,LMG3410R070专为满足电动机应用和电源设计中日益增长的高功率密度需求而设计,广泛适用于工业级和消费级电源。该产品的出现标志着氮化镓技术在电力电子领域的应用向前迈出了重要一步,能够为高频率、高功率应用提供更优的电流、温度、电压以及开关频率表现。
LMG3410R070 GaN功率级集成了栅极驱动器和可靠保护功能,在低开关损耗的同时大幅提升了整体系统效率。与传统的硅MOSFET和IGBT相比,LMG3410R070支持更高的电流和更宽的工作频率范围,使其成为需要高功率密度和快速开关性能的电动机驱动和电源系统的理想选择。通过提供低至70mΩ的导通电阻和600V的工作电压,LMG3410R070能够有效地减少多达80%的开关损耗,从而实现更小尺寸、更高效率的系统设计。
此外,LMG3410R070还具备过电流保护、过热保护、瞬态过电压保护等功能,能够应对更为严苛的工作环境,确保系统的安全性和稳定性。器件的工作特性包括零共源极电感、可调的压摆率(25至100 V/ns)以及适合兆赫级作业的20 ns传播延迟,极大提升了系统的响应速度。
LMG3410R070的设计小巧,采用8mm × 8mm QFN封装,能够在不需要外部保护元件的情况下提供强大的功能支持。这个特点不仅帮助设计人员节省了空间,还简化了电路板的设计和布局,从而降低了整体设计复杂度。与其它硅基功率级产品相比,TI的这一氮化镓解决方案提供了更高的功率密度和更优的开关效率,非常适合用于高效拓扑设计,如totem-pole PFC,有助于电源尺寸缩小最多达50%。
为了进一步提升系统的整体性能,KEMET Electronics的KC-LINK电容器是LMG3410R070的完美搭配。KC-LINK电容器以其极低的有效串联电阻(ESR)和热阻而闻名,能够承受高频率和高电压DC链路的应力,满足快速开关半导体如LMG3410R070的需求。通过这种组合,设计人员能够实现更高效、更稳定的电源解决方案。
LMG3410R070 GaN功率级产品适用于多级转换器、太阳能逆变器、高电压电池充电器、以及**不间断电源(UPS)**等多个领域。无论是在需要高功率密度的工业级电源应用,还是高效电动机驱动系统中,LMG3410R070都能够提供极具竞争力的性能表现。
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